объявила о выпуске на рынок Flashbolt, высокопроизводительной памяти
третьего поколения 2E (HBM2E). Новый 16-гигабайтный (ГБ) модуль HBM2E
идеально подходит для высокопроизводительных вычислительных систем (HPC)
и помогает своевременно совершенствовать суперкомпьютеры для аналитики
данных на основе искусственного интеллекта и работы с графикой.
память Flashbolt обладает вдвое большей емкостью по сравнению с
предыдущим поколением HBM2 Aquabolt 8ГБ, а также существенно возросшей
производительностью и эффективностью энергопотребления. Емкость 16 ГБ
достигается за счет вертикального размещения на матрице восьми слоев
16-гигабитных DRAM-чипов класса 10 нм. Затем HBM2E модули соединяются
между собой с помощью более 40 000 сквозных кремниевых микроскопических
отверстий, при этом каждый 16-гигабитный кристалл содержит их более 5
600.
Samsung представляет модули памяти HBM2E третьего поколения » MobiNews
